ته نشینی بخار شیمایی (Chemical vapor deposition (CVD))، فرآیندی شیمیایی برای تولید مواد جامد با کیفیت و توانایی بالا است. این فرآیند معمولاً در صنایع نیمه هادی برای تولید فیلم های نازک استفاده می شود. در فرآیند CVD، آب (زیر لایه) در معرض یک یا چند پیش ساز فرار قرار می گیرد و واکنش نشان می دهد؛ درنتیجه بر روی سطح زیر لایه برای تولید رسوب مطلوب، تجزیه می شود. غالباً محصولات جانبی فرار نیز در این فرآیند تولید می شوند که توسط جریان گاز گذرنده از محفظه واکنش حذف می شوند. در فرآیندهای میکروساخت (Microfabrication) از CVD برای ته نشین کردن مواد در شکل های متفاوت شامل: مونو کریستال، پلی کریستال، آمورف (کریستال های بی نظم) و ... استفاده می شود. این مواد شامل سیلیکون، کربن، فلوئوروکربن، رشته ها، تنگستن، نیترید تیتانیوم و دی الکتریک هایی با ضریب K زیاد هستند.

فرآیندهای CVD در شرایطی که باعث شروع واکنش شیمیایی می شوند، متفاوت هستند که برخی از آن ها عبارت اند از:

بر اساس فشار

• فشار اتمسفر (APCVD)
• فشار کم (LPCVD)
• شدیداً خلأ (UHVCVD)

بر اساس مشخصه های فیزیکی بخار

• واکنش های همراه با آیروسول (AACVD)
• تزریق مستقیم مایع (DLICVD)

روش های پلاسما

• ریزموج پلاسما (MPCVD)
• پلاسمای افزایش یافته (PECVD)
• پلاسمای افزایش یافته از راه دور (RPECVD)