مبدلهایDC-DC امروزه کاربرد وسیعی برای کاهش تلفات کلیدزنی در مبدلهایDC-DC یافته اند ولذا استفاده از مبدلهای رزونانسی (تشدید) به شدت مورد توجه محققین قرار گرفته است. در این مبدلها به منظور تنظیم ولتاژ معمولا از پارامتر های فرکانس کلیدزنی استفاده می گردد. با تغییر فرکانس کلیدزنی امپدانس المانهای راکتیو تانک رزونانسی را تغییر داده و ولتاژ خروجی تغییر می کند در برخی کاربردها بسته به نسبت ولتاژ ورودی به خروجی و توان خروجی مورد نیاز لازم است فرکانس کلید زنی بسیار بالا انتخاب گردد که این امر طراحی و ساخت فیلتر EMIمدار را بسیار سخت می کند.

   به منظور اجتناب از متغییر بودن فرکانس کلید زنی در مبدل های DC-DC رزونانسی روشهای مختلفی پیشنهاد شده است یکی از این روش ها استفاده از اینورتر پل با شیفت زمانی می باشد این روش معمولا ساختار مدار را سخت کرده و نیاز به سوئیچ و مدارات اضافی زیادی می باشد که هزینه مدار را بسیار زیاد افزایش می دهد. روش دیگر استفاده از ساختار دو طبقه می باشد که مهمترین عیب این روش هزینه بالا و کاهش راندمان است. در این مقاله از روش کنترل مغناطیسی برای کنترل ولتاژ خروجی مبدل DC-DC رزونانسی سری-موازی استفاده می شود که در آن با کنترل اندوکتانس تانک رزونانسی می توان ولتاژ خروجی را تحت فرکانس کلید زنی ثابت کنترل نمود.